当前位置:凯发网站-凯发k8国际官方网站 > 厂商动态 >
[导读]新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dv/dt抗扰性能

美国伊利诺伊州芝加哥,2024年5月27日讯-- littelfuse公司 (nasdaq:lfus)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出ix4352ne低侧sic 和igbt。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(sic)mosfet和高功率绝缘栅双极晶体管(igbt)。

ix4352ne的主要优势在于其独立的9a拉/灌电流输出,支持量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置,以实现更高的dv/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器的工作电压范围(vdd - vss)高达35v,具有出色的灵活性和性能。

ix4352ne低侧栅极驱动器

ix4352ne的突出功能之一是配备内部负电荷泵调节器,无需外部辅助电源设备或dc/dc转换器。 该功能对于关断sic mosfet尤其实用,可以节省外部逻辑电平转换器电路通常所需的宝贵空间。 逻辑输入与标准ttl或cmos逻辑电平兼容,进一步增强了节省空间的能力。

ix4352ne非常适合在各类工业应用中驱动sic mosfet,例如:

· 车载和非车载充电器,

· 功率因数校正(pfc),

· dc/dc转换器,

· 电机控制器,和

· 工业电源逆变器。

卓越的性能使其成为电动汽车、工业、替代能源、智能家居和楼宇自动化市场中要求苛刻的电力电子应用的理想选择。

凭借其全面的功能,ix4352ne简化了电路设计并提供了更高的集成度。 内置保护功能,如带软关断灌电流驱动器的去饱和检测(desat)、欠压锁定(uvlo)和热关断(tsd)等,可确保功率器件和栅极驱动器得到保护。 集成的开漏fault输出向微控制器发出故障信号,增强了安全性和可靠性。 此外,ix4352ne还能节省宝贵的pcb空间并提高电路密度,有助于提高整体系统效率。

对现有ix4351ne的显著改进包括:

· 由desat启动的安全软关断。

· 高阈值精度热关断。

· 电荷泵在热关断期间的工作能力。

新款ix4352ne与引脚兼容,可无缝替换指定使用现有littelfuse ix4351ne的设计,该设计于2020年发布。

“ix4352ne通过一种新型9a拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列,简化了sic mosfet所需的栅极驱动电路。”littelfuse集成电路部(sbu)产品经理june zhang表示, “其各种内置保护功能和集成电荷泵提供了可调的负栅极驱动电压,能提高dv/dt抗扰度和关断速度。 因此,该产品可以用来驱动任何sic mosfet或功率igbt,无论是littelfuse器件还是市场上任何其他类似器件。”

供货情况

ix4352ne低侧sic 和igbt以每管50只的管装形式供货,也可以卷带封装形式供货,起订量2,000只。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

1200 v器件采用smd-7封装,性能领先同类产品

关键字:

在电动汽车充电器等高功率输出应用中,新产品能够为设计工程师提供更高灵活度

关键字:

节省空间,简化车身电子设备、音频系统和逆变器栅极驱动器设计

关键字:

sic的市场前景已经毋庸置疑,从光伏、储能到电动汽车,无不推动着sic的用量激增。根据yole intelligence最新发布的2023年版功率sic报告,预计到 2028 年,全球功率sic器件市场将增长至近90亿美...

关键字:

【2024年5月10日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(fse代码:ifx / otcqx代码:ifnny)针对要求严苛的24/48 v市场推出适用于无刷直流电机的motix™...

关键字:

5城巡回研讨会, 安森美全面解读碳化硅方案在汽车和工业领域的10 趋势性纵深应用

关键字:

全球知名半导体制造商rohm co., ltd.(以下简称“罗姆”)和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体(以下简称“st”)宣布,罗姆集团旗下的sicrystal gmbh(以下简称“sicryst...

关键字:

drmos,全称driver-mosfet,是一种由intel在2004年推出的高效节能技术。它通过将mosfet和mos驱动器集成到同一封装中,实现了尺寸和功效的优化。

关键字:

【2024年4月15日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(fse代码:ifx / otcqx代码:ifnny)推出其最新先进功率mosfet 技术—— optimos™ 7 80 v的首款产品iaucn08s7n013。...

关键字:

【2024年4月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(fse代码:ifx / otcqx代码: ifnny)推出采用 optimos™ mosfet技术的sso10t tsc 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出...

关键字:
")); "));
网站地图