nexperia出色的sic mosfet分立器件采用越来越受欢迎的d2pak-凯发网站

奈梅亨，2024年5月23日：nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 v碳化硅(sic) ，采用d2pak-7表面贴装器件(smd)封装，有30、40、60和80 mω rdson值可供选择。这是继nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚to-247封装的sic mosfet之后的又一新产品，它将使其sic mosfet产品组合迅速扩展到包括rdson值为17、30、40、60和80 mω 且封装灵活的器件。

随着nsf0xx120d7a0的发布，nexperia正在满足市场对采用d2pak-7等smd封装的高性能sic开关日益增长的需求，这种开关在电动汽车(ev)充电(充电桩)、不间断电源(ups)以及太阳能和储能系统(ess)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了nexperia与三菱电机公司(melco)之间成功的战略凯发k8国际官方网站的合作伙伴关系，两家公司联手将sic宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度，同时还提高了该技术的未来生产能力，以满足不断增长的市场需求。

rdson是sic mosfet的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，rdson相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。nexperia发现这也是造成目前市场上许多sic器件的性能受限的因素之一，新推出的sic mosfet采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的rdson温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，rdson的标称值仅增加38%。

严格的阈值电压vgs(th)规格使这些在并联时能够提供平衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(vsd)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。