intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％！ -凯发网站

6月20日消息，intel官方宣布，intel 3工艺(相当于3nm级别)已经投入大规模量产，用于至强6 sierra forest能效核版本、granite ridge性能核版本，下半年陆续登场，但不会用于酷睿。

intel 3作为现有intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2v电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。

首先强调，intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6v以下的低电压、1.3v以上的高电压，以实现最大负载。

为了获得性能、密度的最佳均衡，intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——intel 4只有前者。

客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。

此外，intel 3工艺的euv极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了euv。

最终的结果是，intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比intel 4带来最多18%的提升!

intel之前还曾表示，intel 3相比于intel 4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。

不过在关键尺寸方面，intel 3、intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(cpp)都是50nm，鳍片间距、m0间距都是30nm，另外库高度 x cpp的面积除了12k，还增加了10.5k版本，也是为了优化性能和成本平衡。

intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：

intel 3-t：重点引入采用硅通孔(tsv)技术，针对3d堆叠进行优化。

intel 3-e：扩展更多功能，比如1.2v原生电压、深n阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产组、存储芯片等。

intel 3-pt：在3-e的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5%，使用也更简单，可用于ai、hpc芯片以及通用计算。